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三星3nm工厂即将动工,首发GAA工艺功耗直降50%

发布日期:2022-06-26 02:36    点击次数:107

三星电子代工局部比来深陷负面传说风闻中。先是有音讯称涉嫌捏造并虚报5nm、4nm和3nm 工艺良率,让高通等VIP 客户不能不另投台积电,刻日又被黑客窃走200GB 数据。

不过从技能下去看,三星依然是仅有一家兴许紧跟台积电的晶圆代工厂,并且三星在接上去的3nm 节点上将更为保守,并想要在全球初度推出 GAA 晶体管工艺,销毁 FinFET 晶体管工艺(台积电3nm 工艺仍将基于 FinFET 工艺)。

三星正策画在2022年上半年实现其3nmGAA 工艺的品格评估。据韩国媒体报道,三星已经操办好在韩国平泽市的 P3工厂动工树立3nm 晶圆厂,策画于六、7月份动工,并及时导入动作举措。

痛处三星的说法,与7nm 建造工艺比较,3nm GAA 技能的逻辑面积效劳行进了45% 以上,功耗升高了50%,性能行进了约35%,纸面参数下去说却是要优于台积电3nm FinFET 工艺。

三星代工是三星的代工芯片建造业务局部,此前有音讯称其而今正在与客户一起举行产品策画和批量临蓐的品格测试。该业务局部的目的是击败竞争对手台积电,在3nmGAA 规模获取“世界第一”的称号。然而三星可否在3nm 的性能和产能上餍足客户的哀告另有待窥察。

韩国远大证券的数据体现,制止2020年,三星 Foundry 拥有的专利仅为7000- 10000项,而其竞争对手台积电已获取约3.5万至3.7万项专利。因而,业界觉得三星觉得不足3nm 相干专利,这兴许是个成就。

IT之家相识到,三星旗下 Galaxy 动作举措被黑客突破,近200GB 数据信息泄露,奔忙及合作搭档高通秘要数据,数亿名 Galaxy 动作举措用户正在面临着新的潜伏安好危险,引发业界关注。

除此之外,韩国媒体此前还报道称,三星高管兴许在试产阶段捏造了其5nm 下列工艺的芯片良率,以抬高三星代产业务的竞争力。随后,三星启动了对原先策画扩大产能和担保良率的资金降落的考察,进一步相识半导体代工厂产量和良率环境。

据三星外部官员吐露,“由于晶圆代工厂交付的数量难以餍足代工定单需要,公司对非内存工艺的良率默示思疑,现实上基于该良率是可以或许餍足定单交付的。”另有业内人士吐露,在三星为高通临蓐的骁龙4nm 制程芯片中,良品率仅为35%,并且三星自研的4nm 制程 SoC 猎户座2200的良率更低。